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Si4814BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.05
10
T J = 150 °C
0.04
0.03
1
0.1
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
I D = 7.8 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
10
1
V SD – Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
80
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10 - 1
60
10 - 2
30 V
10 - 3
10 - 4
10 - 5
24 V
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J – Temperature (°C)
Reverse Current vs. Junction Temperature
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
I DM Limited
10
1 ms
1
I D(on)
10 ms
Limited
100 ms
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
dc
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
8
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
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